RD3G600GNTL транзистор полевой, N-канал, 40В, 60А, 40Вт

RD3G600GNTL ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 40V 60A TO252

• Основные параметры:
• Напряжение включения (V_GS(th)): ≤ 3.0 В
• Размерный корпус: TO252
• Номинальное токовое сопротивление (R_D(on)): ≤ 1.8 мΩ
• Номинальная частота работы: до 100 кГц
• Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
• Напряжение питания (V_DS(max)): 40 В
• Номинальный ток (I_D(max)): 60 А
• Плюсы:
• Высокая проводимость в режиме "включено"
• Малое напряжение включения
• Низкое сопротивление в режиме "включено"
• Устойчивость к перегреву
• Долгий срок службы
• Минусы:
• Возможны проблемы с управлением при высоких частотах
• Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
• Могут возникать динамические потери при работе на частоте
• Общее назначение:
• Передача и регулировка тока в электрических цепях
• Изменение состояния цепей
• Управление мощными нагрузками
• Применяется в:
• Автомобильных системах
• Питательных блоках
• Электронных системах управления
• Мощных преобразователях
• Системах управления двигателем