Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
RGS80TS65DHRC11
RGS80TS65DHRC11

RGS80TS65DHRC11

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RGS80TS65DHRC11
  • Описание:
    Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650Все характеристики

Минимальная цена RGS80TS65DHRC11 при покупке от 1 шт 1703.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGS80TS65DHRC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RGS80TS65DHRC11

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    73 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    272 W
  • Энергия переключения
    1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    48 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    37ns/112ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    103 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
Техническая документация
 RGS80TS65DHRC11.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 5 шт
    в наличии
  • 254 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 703 ₽
  • 30
    834 ₽
  • 120
    778 ₽
  • 510
    743 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RGS80TS65DHRC11
  • Описание:
    Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650Все характеристики

Минимальная цена RGS80TS65DHRC11 при покупке от 1 шт 1703.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGS80TS65DHRC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RGS80TS65DHRC11

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    73 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    272 W
  • Энергия переключения
    1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    48 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    37ns/112ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    103 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
Техническая документация
 RGS80TS65DHRC11.pdf
pdf. 0 kb

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП