Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
RGS80TS65DHRC11
  • В избранное
  • В сравнение
RGS80TS65DHRC11

RGS80TS65DHRC11

RGS80TS65DHRC11
;
RGS80TS65DHRC11

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGS80TS65DHRC11
  • Описание:
    Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650Все характеристики

Минимальная цена RGS80TS65DHRC11 при покупке от 1 шт 1708.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGS80TS65DHRC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGS80TS65DHRC11

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • RGS80TS65DHRC11: марка транзистора
      • Производитель: Rohm Semiconductor
      • Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    • Плюсы:
      • Высокая сопротивляемость к коротким замыканиям (8US)
      • Высокое напряжение операции (650В)
      • Надежность и стабильность работы
    • Минусы:
      • Стоимость может быть выше по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Общее назначение:
      • Используется для управления мощными нагрузками в различных электронных устройствах
    • Применяется в:
      • Автомобильных системах
      • Устройствах для управления двигателем
      • Питательных системах
      • Электронасосных установках
Выбрано: Показать

Характеристики RGS80TS65DHRC11

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    73 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    272 W
  • Энергия переключения
    1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    48 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    37ns/112ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    103 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247N

Техническая документация

 RGS80TS65DHRC11.pdf
pdf. 0 kb
  • 5 шт
    в наличии
  • 887 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 708 ₽
  • 10
    826 ₽
  • 100
    780 ₽
  • 450
    774 ₽
  • 900
    745 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGS80TS65DHRC11
  • Описание:
    Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650Все характеристики

Минимальная цена RGS80TS65DHRC11 при покупке от 1 шт 1708.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGS80TS65DHRC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGS80TS65DHRC11

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • RGS80TS65DHRC11: марка транзистора
      • Производитель: Rohm Semiconductor
      • Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    • Плюсы:
      • Высокая сопротивляемость к коротким замыканиям (8US)
      • Высокое напряжение операции (650В)
      • Надежность и стабильность работы
    • Минусы:
      • Стоимость может быть выше по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Общее назначение:
      • Используется для управления мощными нагрузками в различных электронных устройствах
    • Применяется в:
      • Автомобильных системах
      • Устройствах для управления двигателем
      • Питательных системах
      • Электронасосных установках
Выбрано: Показать

Характеристики RGS80TS65DHRC11

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    73 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    272 W
  • Энергия переключения
    1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    48 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    37ns/112ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    103 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247N

Техническая документация

 RGS80TS65DHRC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKW50N60TAFKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
    928Кешбэк 139 баллов
    IKD15N60RATMA1Транзистор: IGBT 600V 30A TO252-3
    352Кешбэк 52 балла
    IHFW40N65R5SXKSA1Транзистор: IHFW40N65R5SXKSA1
    628Кешбэк 94 балла
    IGD06N60TATMA1Транзистор: IGBT 600V 12A 88W TO252-3
    207Кешбэк 31 балл
    IKP20N60TXKSA1Транзистор: IGBT 600V 40A 166W TO220-3
    504Кешбэк 75 баллов
    IKN06N60RC2ATMA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
    195Кешбэк 29 баллов
    IKD06N65ET6ARMA1Транзистор: IKD06N65ET6ARMA1
    508Кешбэк 76 баллов
    IRG4BC30SPBF-INFТранзистор: IGBT, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N
    296Кешбэк 44 балла
    IKD06N60RC2ATMA1Транзистор: IKD06N60RC2ATMA1
    226Кешбэк 33 балла
    IKD04N60RATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 8A TO252-3
    215Кешбэк 32 балла
    IKN04N60RC2ATMA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
    130Кешбэк 19 баллов
    IKD04N60RC2ATMA1Транзистор: IKD04N60RC2ATMA1
    183Кешбэк 27 баллов
    IKW15N120BH6XKSA1Транзистор: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46
    624Кешбэк 93 балла
    IKD10N60RC2ATMA1Транзистор: IKD10N60RC2ATMA1
    261Кешбэк 39 баллов
    IKD08N65ET6ARMA1Транзистор: IKD08N65ET6ARMA1
    606Кешбэк 90 баллов
    AIKB40N65DH5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    828Кешбэк 124 балла
    IGB10N60TATMA1Транзистор: IGBT 600V 20A 110W TO263-3
    263Кешбэк 39 баллов
    IKW50N120CS7XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
    1 073Кешбэк 160 баллов
    IKD10N60RATMA1Транзистор: IGBT 600V 20A TO252-3
    219Кешбэк 32 балла
    IKD10N60RFATMA1Транзистор: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
    324Кешбэк 48 баллов
    IKD06N60RFATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
    265Кешбэк 39 баллов
    IKD15N60RFATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3
    389Кешбэк 58 баллов
    IKB30N65EH5ATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK
    685Кешбэк 102 балла
    IRGB15B60KDPBF-INFТранзистор: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N
    448Кешбэк 67 баллов
    AIGB50N65H5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    1 104Кешбэк 165 баллов
    IKD04N60RFATMA1Транзистор: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
    232Кешбэк 34 балла
    IGB50N65S5ATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3
    647Кешбэк 97 баллов
    IKW08N120CS7XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
    795Кешбэк 119 баллов
    IKB40N65EF5ATMA1Транзистор: 40A 650V TRENCHSTOP5 ULTRA FAST
    739Кешбэк 110 баллов
    IKN03N60RC2ATMA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
    165Кешбэк 24 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП