RJH60D2DPP-E0#T2

• Высокая эффективность: благодаря низкому внутреннему сопротивлению и высокой скорости переключения.
• Устойчивость к перегреву: за счет использования интегрированной системы охлаждения.
• Простота управления: управление осуществляется аналогично MOSFET.

Минусы:

• Сложность проектирования: необходимость учета дополнительных факторов при проектировании систем с IGBT.
• Цена: могут быть дороже аналогичных транзисторов из-за сложности конструкции.

Общее назначение: IGBT используются в различных приложениях, где требуется высокий уровень контроля над током и напряжением, такие как:

• Приводы и моторы
• Автомобильная электроника
• Системы преобразования энергии
• Инверторы
• Реверсивные трансформаторы