Вход/Регистрация
RN1108MFV,L3FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1106MFV,L3F
RN1106MFV,L3F
- Производитель:Toshiba Semiconductor and Storage
- Артикул:RN1106MFV,L3F
- Описание:Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMВсе характеристики
Минимальная цена RN1106MFV,L3F при покупке от 1 шт 28.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1106MFV,L3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 30682 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 128.5 ₽
- 10010.6 ₽
- 10006.7 ₽
- 80004.5 ₽
- 240003.8 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Toshiba Semiconductor and Storage
- Артикул:RN1106MFV,L3F
- Описание:Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMВсе характеристики
Минимальная цена RN1106MFV,L3F при покупке от 1 шт 28.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1106MFV,L3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание RN1106MFV,L3F
Разрешенные ТОЛЬКО теги:
,
- ,
- , .
- Основные параметры:
- VCEO
- IC
- Тип транзистора: NPN
- Применение: Предбиас
- Плюсы:
- Высокое напряжение сечения (50В)
- Номинальный ток (0.1А)
- Предбиас, упрощающий процесс включения
- Минусы:
- Максимальный ток может быть ниже номинального при высоких температурах
- Необходимость дополнительной сборки для предбиаса
- Общее назначение:
- Использование в цифровых и аналоговых схемах
- Управление нагрузками в электронных устройствах
- Компенсация температурных изменений
- В каких устройствах применяется:
- Мобильные устройства
- Автомобили
- Электроприборы
- Коммуникационное оборудование
Выбрано: Показать
Характеристики RN1106MFV,L3F
Техническая документация
RN1106MFV,L3F.pdf pdf. 0 kb