Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
RN1106MFV,L3F
  • В избранное
  • В сравнение
RN1106MFV,L3F

RN1106MFV,L3F

RN1106MFV,L3F
;
RN1106MFV,L3F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    RN1106MFV,L3F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMВсе характеристики

Минимальная цена RN1106MFV,L3F при покупке от 1 шт 28.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1106MFV,L3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1106MFV,L3F

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • VCEO
      • IC
      • Тип транзистора: NPN
      • Применение: Предбиас
    • Плюсы:
      • Высокое напряжение сечения (50В)
      • Номинальный ток (0.1А)
      • Предбиас, упрощающий процесс включения
    • Минусы:
      • Максимальный ток может быть ниже номинального при высоких температурах
      • Необходимость дополнительной сборки для предбиаса
    • Общее назначение:
      • Использование в цифровых и аналоговых схемах
      • Управление нагрузками в электронных устройствах
      • Компенсация температурных изменений
    • В каких устройствах применяется:
      • Мобильные устройства
      • Автомобили
      • Электроприборы
      • Коммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики RN1106MFV,L3F

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    VESM
  • Base Product Number
    RN1106

Техническая документация

 RN1106MFV,L3F.pdf
pdf. 0 kb
  • 30682 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    28.7 ₽
  • 100
    10.7 ₽
  • 1000
    6.8 ₽
  • 8000
    4.55 ₽
  • 24000
    3.84 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    RN1106MFV,L3F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMВсе характеристики

Минимальная цена RN1106MFV,L3F при покупке от 1 шт 28.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1106MFV,L3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1106MFV,L3F

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • VCEO
      • IC
      • Тип транзистора: NPN
      • Применение: Предбиас
    • Плюсы:
      • Высокое напряжение сечения (50В)
      • Номинальный ток (0.1А)
      • Предбиас, упрощающий процесс включения
    • Минусы:
      • Максимальный ток может быть ниже номинального при высоких температурах
      • Необходимость дополнительной сборки для предбиаса
    • Общее назначение:
      • Использование в цифровых и аналоговых схемах
      • Управление нагрузками в электронных устройствах
      • Компенсация температурных изменений
    • В каких устройствах применяется:
      • Мобильные устройства
      • Автомобили
      • Электроприборы
      • Коммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики RN1106MFV,L3F

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    VESM
  • Base Product Number
    RN1106

Техническая документация

 RN1106MFV,L3F.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП