Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
RN1108MFV,L3F
  • В избранное
  • В сравнение
RN1108MFV,L3F

RN1108MFV,L3F

RN1108MFV,L3F
;
RN1108MFV,L3F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1108MFV,L3F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMВсе характеристики

Минимальная цена RN1108MFV,L3F при покупке от 1 шт 31.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1108MFV,L3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1108MFV,L3F

RN1108MFV, L3F Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение коллектора-;base: 50В
    • Номинальный ток коллектора: 0.1А
    • Обозначение: TRANS PREBIAS
    • Код: VESM
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Надежность в работе
    • Малый размер
  • Минусы:
    • Максимальный ток коллектора ограничен
    • Не подходит для высокоточных приложений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Усиление сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления
    • Электроника бытовой техники
    • Промышленные контроллеры
    • Системы безопасности
Выбрано: Показать

Характеристики RN1108MFV,L3F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    VESM
  • Base Product Number
    RN1108

Техническая документация

 RN1108MFV,L3F.pdf
pdf. 0 kb
  • 23610 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    31 ₽
  • 100
    11.6 ₽
  • 1000
    6.6 ₽
  • 8000
    4.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1108MFV,L3F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMВсе характеристики

Минимальная цена RN1108MFV,L3F при покупке от 1 шт 31.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1108MFV,L3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1108MFV,L3F

RN1108MFV, L3F Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение коллектора-;base: 50В
    • Номинальный ток коллектора: 0.1А
    • Обозначение: TRANS PREBIAS
    • Код: VESM
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Надежность в работе
    • Малый размер
  • Минусы:
    • Максимальный ток коллектора ограничен
    • Не подходит для высокоточных приложений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Усиление сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления
    • Электроника бытовой техники
    • Промышленные контроллеры
    • Системы безопасности
Выбрано: Показать

Характеристики RN1108MFV,L3F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    VESM
  • Base Product Number
    RN1108

Техническая документация

 RN1108MFV,L3F.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП