Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RYM002N05T2CL

RYM002N05T2CL

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RYM002N05T2CL при покупке от 1 шт 76 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RYM002N05T2CL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RYM002N05T2CL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0.9V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    800mV @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    26 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    VMT3
  • Корпус
    SOT-723
  • Base Product Number
    RYM002
Техническая документация
RYM002N05T2CL.pdf
pdf. 0 kb
  • 842786 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    76 ₽
  • 100
    23.7 ₽
  • 1000
    18.6 ₽
  • 8000
    10.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена RYM002N05T2CL при покупке от 1 шт 76 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RYM002N05T2CL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RYM002N05T2CL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0.9V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    800mV @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    26 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    VMT3
  • Корпус
    SOT-723
  • Base Product Number
    RYM002
Техническая документация
RYM002N05T2CL.pdf
pdf. 0 kb