S26KS512SDGBHM030

Размеры и описание:

• Маркировка: S26KS512SDGBHM030
• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Тип: Микросхема
• Функционал: Flash-память
• Объем памяти: 512 Мбит (64 МБ)
• Интерфейс: Параллельный (24 FBGA)

Основные параметры:

• Технология: Наноструктурная
• Скорость: до 80 МГц
• Напряжение питания: 1,8 В и 3,3 В
• Рабочая температура: -40°C до +85°C

Плюсы:

• Высокая плотность данных: 512 Мбит в одном чипе
• Устойчивость к износу: Высокая надежность благодаря технологии Flash
• Широкий диапазон рабочих температур: Подходит для широкого спектра устройств
• Энергоэффективность: Низкое энергопотребление

Минусы:

• Технические ограничения: Повторное программируемое устройство, что может вызывать проблемы при длительной эксплуатации
• Время доступности: Увеличенное время записи/чтения по сравнению с DRAM

Общее назначение:

• Хранение данных: Сохранение программного обеспечения, конфигурационной информации и пользовательских данных
• Автоматизация: Управление и настройка различных устройств

Применение:

• Устройства с низким энергопотреблением: Игровые приставки, умные часы, медиаплееры
• Мобильные устройства: Телефоны, планшеты
• Автомобили: Системы мультимедиа, подключаемые устройства
• Промышленные системы: Устройства контроля и управления процессами