S34ML02G104BHB013 микросхема памяти, FLASH - NAND, 2Гбит, Parallel, 2.7В ~ 3.6В

S34ML02G104BHB013 Cypress Semiconductor Corp Микросхема: Это флеш-память параллельного типа с объемом 2 Гбит.

• Основные параметры:
• Тип: флеш-память (Flash)
• Объем: 2 Гбит (256 МБ)
• Форм-фактор: 63 BGA
• Интерфейс: параллельный

• Плюсы:
• Высокая скорость доступа
• Устойчивость к износу
• Минимальное энергопотребление
• Надежность при работе в широком диапазоне температур

• Минусы:
• Необходимо наличие специализированного оборудования для программирования
• Сравнительно высокая стоимость по сравнению с ОЗУ

Общее назначение: Используется для хранения постоянной операционной системы, конфигурационной информации устройств и других данных, которые должны сохраняться при отключении питания.

В каких устройствах применяется:

• Коммуникационные устройства
• Программируемые логические устройства (PLD)
• Расширительные модули
• Автомобильные системы
• Электронные устройства бытовой техники