SGB8206ANSL3G транзистор IGBT, N-канал, 390В, 20А, 150Вт

Размеры и производитель:

• Маркировка: SGB8206ANSL3G
• Производитель: ON Semiconductor

Основные параметры:

• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Рейтинг тока: 20A
• Рейтинг напряжения: 350V
• Тип канала: N-CHANNEL

Плюсы:

• Высокий КПД в различных режимах работы
• Устойчивость к электрическим шумам
• Низкий уровень шума при работе
• Малый размер и легкость интеграции в модули

Минусы:

• Сложность управления по сравнению с MOSFET
• Затраты времени на включение/выключение (относительно MOSFET)
• Наличие теплового дросселирования

Общее назначение:

• Используется для управления мощными нагрузками в различных приложениях, таких как:
• Приводы двигателей
• Инверторы
• Автомобильная электроника
• Мощные источники питания
• Измерительные приборы

В каких устройствах применяется:

• Промышленное оборудование
• Автомобильная техника
• Энергосберегающие приборы
• Системы управления теплопроизводящими устройствами