SHIELDBTS70802EPZTOBO1 плата разработки, Power Management, Switch, 3.1-28В

SHIELDBTS70802EPZTOBO1 Infineon Technologies PROFET+2 12V GRADE0 BTS7080-2EP — это полупроводниковый модуль, используемый в различных приложениях, особенно в сфере коммуникаций и управления мощностью.

• Основные параметры:
• Тип: Шоттки-диод с интегрированным MOSFET
• Номинальное напряжение: 12В
• Максимальная токовая способность: 80А (при tj = 25°C)
• Максимальная температура корпуса: 175°C
• Класс термостабильности: GRADE0 (высокая термостабильность)
• Плюсы:
• Высокая проводимость при низком напряжении
• Малый диэлектрический смещение
• Минимальное внутреннее сопротивление
• Высокая надежность и долговечность
• Упрощение схемы благодаря интеграции MOSFET
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с отдельными компонентами
• Необходимость учета термического дизайна
• Общее назначение:
• Изоляция высоковольтных цепей
• Контроль тока в мощных электронных системах
• Защита от обратного тока
• Применение:
• Базовые станции мобильной связи (BTS)
• Питание и управление мощностью в инфраструктуре связи
• Автомобильные системы
• Мощные электронные устройства