Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SI2301CDS-T1-BE3
  • В избранное
SI2301CDS-T1-BE3

SI2301CDS-T1-BE3 транзистор, P-канал, 20В, 2.3А, 860мВт

  • В избранное
SI2301CDS-T1-BE3
SI2301CDS-T1-BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI2301CDS-T1-BE3
  • Описание:
    Транзистор: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SI2301CDS-T1-BE3 при покупке от 1 шт 125 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2301CDS-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 11321 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    125 ₽
  • 100
    49 ₽
  • 1000
    33.5 ₽
  • 6000
    26 ₽
  • 15000
    23.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики SI2301CDS-T1-BE3

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    112mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    405 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    860mW (Ta), 1.6W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 SI2301CDS-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Описание SI2301CDS-T1-BE3

  • Основные параметры:
    • VGS(th)
    • ID(on)
    • RDS(on)
    • Qg
    • TCASE
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении гейта
    • Малые потери энергии
    • Низкий уровень шумов
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требует отрицательного напряжения для работы
    • Меньше подходит для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Для управления нагрузками
    • Контроль тока в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мобильные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Энергоэффективные системы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП