SI2374DS-T1-GE3 транзистор, MOSFET N-CH, 20В, 4.5А, 960мВт

SI2374DS-T1-GE3 VISHAY — MOSFET N-ЧИНИТ, 20В, 4.5А/5.9А, SOT23

• Основные параметры:
  • Номинальное напряжение блокировки (V_GS(th)): не менее 2 В
  • Номинальная токовая характеристика: 4.5 А (I_D(on)) при V_GS = 10 В; 5.9 А (I_D(on)) при V_GS = 20 В
  • Максимальное напряжение блокировки (V_DS(max)): 20 В
  • Пакет: SOT23
• Плюсы:
  • Высокая токовая способность
  • Устойчивость к перегреву
  • Компактный размер пакета
  • Доступность и широкое применение
• Минусы:
  • Высокие значения тока могут привести к увеличению теплового потока
  • Необходимость использования радиатора при высоких нагрузках
• Общее назначение:
  • Регулирование напряжения в электронных устройствах
  • Переключение и управляющее управление токами
  • Использование в схемах преобразования напряжения
• Применение:
  • Автомобильные системы
  • Системы питания для бытовой техники
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Устройства управления двигателем