Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3 транзистор, MOSFET 2N-CH, 30В, 6.9А, 2.8Вт

SI4936BDY-T1-E3
SI4936BDY-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI4936BDY-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена SI4936BDY-T1-E3 при покупке от 1 шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4936BDY-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики SI4936BDY-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.9A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35mOhm @ 5.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    530pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    2.8W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    SI4936

Техническая документация

SI4936BDY-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Описание SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VGS(th)): ≤ 2 V
    • Рейтингное напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 30 V
    • Рейтингный ток коллектора-эмиттера (ID(on)): 6.9 A
    • Количество выводов: 8-SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малый размер и легкость монтажа благодаря 8-SOIC пакетированию
    • Низкий ток утечки при отключенном канале
    • Высокая надежность и стабильность
  • Минусы:
    • Небольшой рейтинги по току, что ограничивает его применение в высокотоковых схемах
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок и перенапряжений
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими нагрузками в различных приложениях
    • Использование в инверторах и преобразователях мощности
    • Активное управление в электронных цепях
    • Использование в системах управления двигателей
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
    • Беспроводные устройства