Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SI7116BDN-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI7116BDN-T1-GE3

SI7116BDN-T1-GE3

SI7116BDN-T1-GE3
;
SI7116BDN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7116BDN-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAKВсе характеристики

Минимальная цена SI7116BDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 255.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7116BDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7116BDN-T1-GE3

SI7116BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40В
    • Номинальный ток при VGS=4.5В (ID(on)): 18.4А
    • Максимальный ток при VGS=4.5В (ID(max)): 65А
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая номинальная токовая способность
    • Устойчивость к перегреву благодаря высокой теплопроводности корпуса PPAK
    • Компактный размер и легкость монтажа
    • Хорошая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для работы при максимальных нагрузках
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET
  • Общее назначение:
    • Применяется в системах управления силами
    • Используется в электропитании и преобразователях
    • Подходит для применения в трансиверах и приемниках радиосигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания для серверов и коммутационного оборудования
    • Радиоэлектронные устройства
    • Преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SI7116BDN-T1-GE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18.4A (Ta), 65A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.4mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1915 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5W (Ta), 62.5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SI7116

Техническая документация

 SI7116BDN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2 шт
    в наличии
  • 10201 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    255 ₽
  • 10
    189 ₽
  • 500
    108 ₽
  • 3000
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7116BDN-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAKВсе характеристики

Минимальная цена SI7116BDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 255.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7116BDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7116BDN-T1-GE3

SI7116BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40В
    • Номинальный ток при VGS=4.5В (ID(on)): 18.4А
    • Максимальный ток при VGS=4.5В (ID(max)): 65А
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая номинальная токовая способность
    • Устойчивость к перегреву благодаря высокой теплопроводности корпуса PPAK
    • Компактный размер и легкость монтажа
    • Хорошая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для работы при максимальных нагрузках
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET
  • Общее назначение:
    • Применяется в системах управления силами
    • Используется в электропитании и преобразователях
    • Подходит для применения в трансиверах и приемниках радиосигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания для серверов и коммутационного оборудования
    • Радиоэлектронные устройства
    • Преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SI7116BDN-T1-GE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18.4A (Ta), 65A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.4mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1915 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5W (Ta), 62.5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SI7116

Техническая документация

 SI7116BDN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP4025LSSQ-13MOSFET P-CH 40V 6A 8SO
    357Кешбэк 53 балла
    DMP3004SSS-13MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2
    357Кешбэк 53 балла
    DMT10H010LK3-13MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
    363Кешбэк 54 балла
    DMP4011SK3-13MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
    365Кешбэк 54 балла
    DMT31M6LPS-13MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
    367Кешбэк 55 баллов
    DMTH6005LCTMOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    DMT6005LSS-13MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
    374Кешбэк 56 баллов
    DMT8008LFG-7MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333
    376Кешбэк 56 баллов
    DMTH10H010LPS-13MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
    378Кешбэк 56 баллов
    DMT6010SCTMOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
    384Кешбэк 57 баллов
    DMNH6012SPS-13MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
    389Кешбэк 58 баллов
    DMT4002LPS-13MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
    407Кешбэк 61 балл
    DMP4011SPS-13MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
    410Кешбэк 61 балл
    DMP4006SPSWQ-13MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
    410Кешбэк 61 балл
    DMT12H007LPS-13MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
    427Кешбэк 64 балла
    DMT15H017LPS-13MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
    427Кешбэк 64 балла
    DMPH4013SPSQ-13MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
    431Кешбэк 64 балла
    DMTH10H010SPSQ-13MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
    439Кешбэк 65 баллов
    DMP6018LPSQ-13MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
    441Кешбэк 66 баллов
    DMT6004SPS-13MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8
    446Кешбэк 66 баллов
    DMTH10H010LCTB-13MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    DMTH4004SCTBQ-13MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB
    450Кешбэк 67 баллов
    DMTH41M8SPSQ-13MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
    456Кешбэк 68 баллов
    DMP4011SPSQ-13MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
    462Кешбэк 69 баллов
    DMP6018LPS-13MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
    486Кешбэк 72 балла
    DMT6002LPS-13MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
    490Кешбэк 73 балла
    DMT4005SCTMOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
    500Кешбэк 75 баллов
    DMP32M6SPS-13MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8
    507Кешбэк 76 баллов
    DMTH84M1SPSQ-13MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
    551Кешбэк 82 балла
    DMNH4005SCTQMOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
    577Кешбэк 86 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторные модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП