Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIC431BEVB-A

SIC431BEVB-A

SIC431BEVB-A
;
SIC431BEVB-A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIC431BEVB-A при покупке от 1 шт 7139.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIC431BEVB-A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIC431BEVB-A

SIC431BEVB-A VISHAY SIC431B EVALUATION BOARD

  • Основные параметры:
    • Мощный полупроводниковый транзистор SiC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Рабочее напряжение до 1200 В
    • Ток до 85 А
    • Питание: 5 В для логики и 12 В для питания
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий ток утечки
    • Устойчивость к излучению
    • Энергетическая эффективность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требуется специфическое оборудование для производства
    • Требуются специальные меры по охлаждению
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Применение в промышленных преобразователях
    • Интеграция в электромобили и системы хранения энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Преобразователи питания
    • Системы управления энергией
    • Электромобили и гибридные автомобили
    • Системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики SIC431BEVB-A

Техническая документация

SIC431BEVB-A.pdf
pdf. 0 kb
  • 4 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    7 139 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIC431BEVB-A при покупке от 1 шт 7139.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIC431BEVB-A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIC431BEVB-A

SIC431BEVB-A VISHAY SIC431B EVALUATION BOARD

  • Основные параметры:
    • Мощный полупроводниковый транзистор SiC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Рабочее напряжение до 1200 В
    • Ток до 85 А
    • Питание: 5 В для логики и 12 В для питания
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий ток утечки
    • Устойчивость к излучению
    • Энергетическая эффективность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требуется специфическое оборудование для производства
    • Требуются специальные меры по охлаждению
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Применение в промышленных преобразователях
    • Интеграция в электромобили и системы хранения энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Преобразователи питания
    • Системы управления энергией
    • Электромобили и гибридные автомобили
    • Системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики SIC431BEVB-A

Техническая документация

SIC431BEVB-A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории