Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIC438AEVB-B

SIC438AEVB-B

SIC438AEVB-B
;
SIC438AEVB-B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIC438AEVB-B при покупке от 1 шт 6008.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIC438AEVB-B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIC438AEVB-B

SIC438AEVB-B VISHAY SIC438A EVALUATION BOARD

  • Основные параметры:
    • Транзистор SiC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Мощность: до 200 В
    • Ток: до 65 А
    • Рабочая температура: от -55°C до +175°C
    • Скорость переключения: до 100 кГц
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к тепловым нагрузкам
    • Малый размер и вес
    • Компактность и легкость интеграции в системы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требуются специальные меры по охлаждению из-за высокой мощности
    • Необходимо соблюдать специфические требования к установке и подключению
  • Общее назначение:
    • Использование в современных электропитаниях и преобразователях энергии
    • Применяется в промышленных системах управления
    • Интегрируется в электромобили и гибридные автомобили
    • Используется в энергетических системах для улучшения эффективности и надежности
  • В каких устройствах применяется:
    • Электромобили и гибридные автомобили
    • Промышленное оборудование и системы управления
    • Переходники и преобразователи энергии
    • Энергосистемы и источники бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIC438AEVB-B

Техническая документация

SIC438AEVB-B.pdf
pdf. 0 kb
  • 3 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 008 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIC438AEVB-B при покупке от 1 шт 6008.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIC438AEVB-B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIC438AEVB-B

SIC438AEVB-B VISHAY SIC438A EVALUATION BOARD

  • Основные параметры:
    • Транзистор SiC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Мощность: до 200 В
    • Ток: до 65 А
    • Рабочая температура: от -55°C до +175°C
    • Скорость переключения: до 100 кГц
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к тепловым нагрузкам
    • Малый размер и вес
    • Компактность и легкость интеграции в системы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требуются специальные меры по охлаждению из-за высокой мощности
    • Необходимо соблюдать специфические требования к установке и подключению
  • Общее назначение:
    • Использование в современных электропитаниях и преобразователях энергии
    • Применяется в промышленных системах управления
    • Интегрируется в электромобили и гибридные автомобили
    • Используется в энергетических системах для улучшения эффективности и надежности
  • В каких устройствах применяется:
    • Электромобили и гибридные автомобили
    • Промышленное оборудование и системы управления
    • Переходники и преобразователи энергии
    • Энергосистемы и источники бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIC438AEVB-B

Техническая документация

SIC438AEVB-B.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории