SIR104DP-T1-RE3 транзистор полевой, N-канал, 100В, 18.3А, 100Вт

SIR104DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение (V_DS(on)): 100В
• Максимальный ток при V_GS=4V (I_D(on)): 18.3А
• Максимальный ток при V_GS=10V (I_D(on)): 79А
• Тип корпуса: PPAK
• Плюсы:
• Высокая проводимость при низком напряжении
• Высокая плотность мощности благодаря компактному корпусу PPAK
• Устойчивость к тепловым воздействиям
• Доступность и экономичность
• Минусы:
• Высокие значения тока могут привести к перегреву без эффективного охлаждения
• Наличие шумов и помех при высоких частотах
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения в электронных устройствах
• Переключение нагрузок в системах управления
• Изоляция высоковольтных цепей от низковольтных
• Применение в устройствах:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Инверторы и преобразователи энергии
• Системы питания и управления
• Мощные источники питания
• Устройства с высокой степенью автоматизации