Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SIRA14BDP-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIRA14BDP-T1-GE3

SIRA14BDP-T1-GE3 транзистор полевой, N-канал, 30В, 64А, 36Вт

SIRA14BDP-T1-GE3
SIRA14BDP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIRA14BDP-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8Все характеристики

Минимальная цена SIRA14BDP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 67 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA14BDP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 2732 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    67 ₽
  • 100
    43 ₽
  • 1000
    37.5 ₽
  • 6000
    29.7 ₽
  • 15000
    26.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA14BDP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Ta), 64A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.38mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    917 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 36W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SIRA14

Техническая документация

 SIRA14BDP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Описание SIRA14BDP-T1-GE3

SIRA14BDP-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 30В 21А/64А PPAK SO8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 30В
    • Максимальная токовая способность: 21А (пиковый) / 64А (непрерывный)
    • Форм-фактор: PPAK SO8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малый размер и легкость в установке
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент тепловыделения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с электрической изоляцией при неудачном выборе компонентов
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электронных цепях
    • Переключение высоких токов с минимальными потерями энергии
    • Изменение уровня напряжения в схемах преобразования напряжения
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электроника для управления двигателей
    • Системах преобразования энергии
    • Сетевых адаптерах и блоках питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП