SIS932EDN-T1-GE3 транзистор, MOSFET N-CH DL, 30В, 6А, 2.6Вт

SIS932EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

• Основные параметры:
• Тип: MOSFET N-канальный
• Диодное связывание: DL (Dual Line)
• Номинальный напряжение блокировки: 30В
• Объемная единица: PWRPAK 1212-8
• Плюсы:
• Высокая надежность
• Экономичное потребление энергии
• Устойчивость к перенапряжению
• Малый размер и легкость
• Простота интеграции в схемы
• Минусы:
• Требует дополнительного радиатора для отвода тепла при высокой мощности
• Стоимость может быть выше, чем у аналогичных компонентов других производителей
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения
• Переключение цепей
• Защита электронных схем от перенапряжений
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы
• Питание компьютерных систем
• Мобильные устройства
• Инверторы
• Промышленное оборудование