SISA88DN-T1-GE3 транзистор, MOSFET N-CH, 30В, 16.2А, 3.2Вт

SISA88DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK

• Основные параметры:
• Тип: MOSFET N-канальный
• Номинальное напряжение (V_DS(on)): 30В
• Максимальный ток прямого тока (I_D): 16.2А (непрерывно), 40.5А (пульсирующими токами)
• Форм-фактор: PPAK
• Плюсы:
• Высокая способность к передаче тока
• Низкий коэффициент сопротивления при номинальном напряжении
• Устойчивость к перегреву
• Компактный размер
• Минусы:
• Требует использования радиатора для эффективного отвода тепла при высоких нагрузках
• Стоимость может быть выше по сравнению с традиционными транзисторами
• Общее назначение:
• Регулировка напряжения в электронных устройствах
• Переключение тока в источниках питания
• Управление мощными нагрузками
• В каких устройствах применяется:
• Источники питания
• Автомобильные системы
• Мобильные устройства
• Мощные электронные системы управления