SMBT1199RLT1

Микросхема SMBT1199RLT1 производства ON Semiconductor:

• Основные параметры:
  • Тип: полупроводниковый транзистор N-канального MOSFET
  • Объемный тип: СИП (SOT23)
  • Рабочее напряжение: 45 В
  • Максимальная токовая способность: 2 А
  • Размеры: 3 мм x 2.7 мм
• Плюсы:
  • Комpakтные размеры для экономии места на печатной плате
  • Высокая надежность и долговечность
  • Низкое значение R_DS(on) при низком напряжении
  • Хорошая термическая стабильность
• Минусы:
  • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок
  • Не подходит для высокочастотных применений
• Общее назначение:
  • Управление нагрузками в электронных устройствах
  • Источники питания
  • Мощные конвертеры напряжения
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы
  • Питание для бытовой техники
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления двигателей