Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
SMUN5114T3G
  • В избранное
  • В сравнение
SMUN5114T3G

SMUN5114T3G

SMUN5114T3G
;
SMUN5114T3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMUN5114T3G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3Все характеристики

Минимальная цена SMUN5114T3G при покупке от 1 шт 35.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN5114T3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMUN5114T3G

SMUN5114T3G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-;base (VCEO): 51 В
    • Максимальный ток коллектора (ICM): 1.4 А
    • Максимальная мощность (PCM): 202 мВт
    • Тип корпуса: SC70-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкий уровень шумов и помех
    • Устойчивость к переносам напряжения
    • Компактный размер корпуса
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность по сравнению с другими типами транзисторов
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжений
    • Переключение электрических цепей
    • Импульсные преобразования
  • Применяется в:
    • Системах управления электропитанием
    • Инверторах и преобразователях
    • Аппаратном обеспечении устройств связи
    • Автомобильных системах
Выбрано: Показать

Характеристики SMUN5114T3G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    202 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    SMUN5114

Техническая документация

 SMUN5114T3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1917500 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    35 ₽
  • 10000
    5.8 ₽
  • 30000
    5 ₽
  • 70000
    4.5 ₽
  • 250000
    3.86 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMUN5114T3G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3Все характеристики

Минимальная цена SMUN5114T3G при покупке от 1 шт 35.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN5114T3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMUN5114T3G

SMUN5114T3G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-;base (VCEO): 51 В
    • Максимальный ток коллектора (ICM): 1.4 А
    • Максимальная мощность (PCM): 202 мВт
    • Тип корпуса: SC70-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкий уровень шумов и помех
    • Устойчивость к переносам напряжения
    • Компактный размер корпуса
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность по сравнению с другими типами транзисторов
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжений
    • Переключение электрических цепей
    • Импульсные преобразования
  • Применяется в:
    • Системах управления электропитанием
    • Инверторах и преобразователях
    • Аппаратном обеспечении устройств связи
    • Автомобильных системах
Выбрано: Показать

Характеристики SMUN5114T3G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    202 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    SMUN5114

Техническая документация

 SMUN5114T3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RN1401,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    35Кешбэк 5 баллов
    RN1406,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    35Кешбэк 5 баллов
    RN2110ACT(TPL3)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
    13Кешбэк 1 балл
    RN2111ACT(TPL3)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
    13Кешбэк 1 балл
    RN2113ACT(TPL3)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
    13Кешбэк 1 балл
    RN2102,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    33.3Кешбэк 4 балла
    RN1104MFV,L3FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    29.6Кешбэк 4 балла
    RN2315TE85LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    48Кешбэк 7 баллов
    RN1301,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    29.6Кешбэк 4 балла
    RN2312(TE85L,F)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RN2308(TE85L,F)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    41Кешбэк 6 баллов
    RN2310,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    29.6Кешбэк 4 балла
    RN1103,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    33.3Кешбэк 4 балла
    RN2318(TE85L,F)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RN2306,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    31.5Кешбэк 4 балла
    RN2314(TE85L,F)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    43Кешбэк 6 баллов
    RN2317(TE85L,F)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RN2303(TE85L,F)Транзистор
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA123TM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    9.3Кешбэк 1 балл
    PDTC114YU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    PDTC123YU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    PDTC144EU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
    31.5Кешбэк 4 балла
    PDTC123JU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
    28Кешбэк 4 балла
    PDTC144VT,215Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
    28Кешбэк 4 балла
    PDTA123JU,115Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    PDTA114YU,115Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    PDTC143XU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    PDTC144WT,215Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
    22.2Кешбэк 3 балла
    PDTA115EM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    56Кешбэк 8 баллов
    PDTA114EU,135Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
    26Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП