Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
SMUN5214T1G
SMUN5214T1G

SMUN5214T1G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    SMUN5214T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Все характеристики

Минимальная цена SMUN5214T1G при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN5214T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SMUN5214T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    202 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    SMUN5214
Техническая документация
 SMUN5214T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2 шт
    в наличии
  • 2730 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 10
    23.7 ₽
  • 100
    13.7 ₽
  • 1000
    8.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    SMUN5214T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Все характеристики

Минимальная цена SMUN5214T1G при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN5214T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SMUN5214T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    202 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    SMUN5214
Техническая документация
 SMUN5214T1G.pdf
pdf. 0 kb

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП