SMUN5214T1G транзистор, NPN - Pre-Biased, 100 мА, 50 В, 202 мВт

SMUN5214T1G ONSEMI Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3

• Основные параметры:
  • Тип: NPN
  • Напряжение на разрыв: 50В
  • Потребляемая мощность: до 600мВ*100мА
  • ТокCollector-Emitter (ICBO): 10nA
  • Пропускная способность: 400мА
  • Размеры: SC70-3
• Плюсы:
  • Высокая надежность
  • Устойчивость к шуму
  • Долговечность
  • Малый размер
  • Высокая скорость переключения
• Минусы:
  • Высокое потребление энергии при низких напряжениях
  • Необходимость внешних компонентов для предварительного подсвета
• Общее назначение:
  • Измерительные приборы
  • Мобильные устройства
  • Автомобильные системы
  • Компьютерное оборудование
  • Системы управления электропитанием
• Применение:
  • Для уменьшения паразитных искажений в цепях
  • В качестве предварительно подсвеченного транзистора для улучшения чувствительности приемников
  • В цифровых и аналоговых схемах для усиления сигналов