Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SPW11N80C3FKSA1

SPW11N80C3FKSA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SPW11N80C3FKSA1 при покупке от 1 шт 725 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SPW11N80C3FKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SPW11N80C3FKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450mOhm @ 7.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.9V @ 680µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1600 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-1
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    SPW11N80
Техническая документация
8145669.pdf
pdf. 0 kb
  • 1037 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    725 ₽
  • 30
    371 ₽
  • 120
    339 ₽
  • 510
    273 ₽
  • 1020
    257 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена SPW11N80C3FKSA1 при покупке от 1 шт 725 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SPW11N80C3FKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SPW11N80C3FKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450mOhm @ 7.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.9V @ 680µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1600 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-1
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    SPW11N80
Техническая документация
8145669.pdf
pdf. 0 kb