Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SSM6L14FE(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
SSM6L14FE(TE85L,F)

SSM6L14FE(TE85L,F)

SSM6L14FE(TE85L,F)
;
SSM6L14FE(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    SSM6L14FE(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCEВсе характеристики

Минимальная цена SSM6L14FE(TE85L,F) при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSM6L14FE(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SSM6L14FE(TE85L,F)

Транзистор SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba

  • X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE

Основные параметры:

  • Тип: Силовой полупроводниковый транзистор
  • Обозначение: SSM6L14FE(TE85L,F)
  • Производитель: Toshiba
  • Назначение: Управление электрическим током в электронных устройствах
  • Максимальное напряжение: 140 В
  • Максимальный ток: 6 А
  • Низкий ток сопротивления в режиме включения (RON): ≤ 14 Ω

Плюсы:

  • Низкое сопротивление в режиме включения, что обеспечивает минимальные потери энергии.
  • Высокая надежность, что делает его подходящим для требовательных приложений.
  • Малый размер корпуса, что позволяет экономить место на печатной плате.

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению, из-за возможного нагрева при высоких нагрузках.
  • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными транзисторами, особенно в больших объемах.

Общее назначение:

  • Управление нагрузками, такие как электродвигатели, лампы и другие электрические устройства.
  • Переключение высоковольтных и высокоточных сигналов, обеспечивая точность и надежность работы системы.
  • Использование в промышленных и бытовых устройствах, где требуется эффективное управление током.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника, например, системы управления двигателем.
  • Промышленное оборудование, такие как станки и конвейеры.
  • Бытовые приборы, включая стиральные машины и холодильники.
  • Электронные системы управления, в которых требуется высокая эффективность и надежность.
Выбрано: Показать

Характеристики SSM6L14FE(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 1.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    800mA (Ta), 720mA (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    90pF @ 10V, 110pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    150mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    ES6
  • Base Product Number
    SSM6L14

Техническая документация

 SSM6L14FE(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • 288123 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    85 ₽
  • 100
    33.5 ₽
  • 1000
    20.4 ₽
  • 4000
    14.3 ₽
  • 24000
    13.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    SSM6L14FE(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCEВсе характеристики

Минимальная цена SSM6L14FE(TE85L,F) при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSM6L14FE(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SSM6L14FE(TE85L,F)

Транзистор SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba

  • X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE

Основные параметры:

  • Тип: Силовой полупроводниковый транзистор
  • Обозначение: SSM6L14FE(TE85L,F)
  • Производитель: Toshiba
  • Назначение: Управление электрическим током в электронных устройствах
  • Максимальное напряжение: 140 В
  • Максимальный ток: 6 А
  • Низкий ток сопротивления в режиме включения (RON): ≤ 14 Ω

Плюсы:

  • Низкое сопротивление в режиме включения, что обеспечивает минимальные потери энергии.
  • Высокая надежность, что делает его подходящим для требовательных приложений.
  • Малый размер корпуса, что позволяет экономить место на печатной плате.

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению, из-за возможного нагрева при высоких нагрузках.
  • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными транзисторами, особенно в больших объемах.

Общее назначение:

  • Управление нагрузками, такие как электродвигатели, лампы и другие электрические устройства.
  • Переключение высоковольтных и высокоточных сигналов, обеспечивая точность и надежность работы системы.
  • Использование в промышленных и бытовых устройствах, где требуется эффективное управление током.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника, например, системы управления двигателем.
  • Промышленное оборудование, такие как станки и конвейеры.
  • Бытовые приборы, включая стиральные машины и холодильники.
  • Электронные системы управления, в которых требуется высокая эффективность и надежность.
Выбрано: Показать

Характеристики SSM6L14FE(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 1.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    800mA (Ta), 720mA (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    90pF @ 10V, 110pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    150mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    ES6
  • Base Product Number
    SSM6L14

Техническая документация

 SSM6L14FE(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ244EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
    376Кешбэк 56 баллов
    SQJ963EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8
    476Кешбэк 71 балл
    SQ3987EV-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 3A 6TSOP
    183Кешбэк 27 баллов
    SQJB70EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    274Кешбэк 41 балл
    SI6562CDQ-T1-BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
    287Кешбэк 43 балла
    SQ4946CEY-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (
    170Кешбэк 25 баллов
    SQJB68EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    278Кешбэк 41 балл
    SQJ968EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    302Кешбэк 45 баллов
    SQJ914EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
    342Кешбэк 51 балл
    SQJ992EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    358Кешбэк 53 балла
    SQJB46ELP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
    326Кешбэк 48 баллов
    SIZ998DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
    387Кешбэк 58 баллов
    SI7223DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
    269Кешбэк 40 баллов
    SQJ951EP-T1_GE3MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
    398Кешбэк 59 баллов
    SQ4282EY-T1_BE3Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
    380Кешбэк 57 баллов
    SIZ926DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
    341Кешбэк 51 балл
    SQ4949EY-T1_BE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
    432Кешбэк 64 балла
    SQJB80EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C M
    321Кешбэк 48 баллов
    SIZF920DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
    487Кешбэк 73 балла
    SQJ570EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 100-V (D-S) 175
    302Кешбэк 45 баллов
    SIZ256DT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
    343Кешбэк 51 балл
    SQ3985EV-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
    122Кешбэк 18 баллов
    SQJB48EP-T1_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
    393Кешбэк 58 баллов
    SQJB46ELP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    326Кешбэк 48 баллов
    SQ4282EY-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
    380Кешбэк 57 баллов
    SQJ992EP-T2_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    274Кешбэк 41 балл
    SQJ980AEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8
    343Кешбэк 51 балл
    SQS944ENW-T1_GE3MOSFET N-CHAN 40V
    274Кешбэк 41 балл
    SQJ912BEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
    285Кешбэк 42 балла
    SQJ952EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    372Кешбэк 55 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП