STGIPQ3H60T-HZ

STGIPQ3H60T-HZ STMicroelectronics Микросхема

• Основные параметры:
• Тип: полупроводниковый транзистор MOSFET
• Тип напряжения: 60 В
• Размер тока: 30 А
• Тип управления: цифровое
• Материал: SiC (сапфир)
• Плюсы:
• Высокая эффективность работы
• Устойчивость к перегреву
• Низкий коэффициент динамического сопротивления
• Высокая скорость переключения
• Долгий срок службы
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-транзисторами
• Требует специфического оборудования для монтажа
• Общее назначение:
• Использование в системах управления мощностью
• Применение в инверторах и преобразователях напряжения
• Работа в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
• Высокочастотное управление электрическими нагрузками
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы питания и управления
• Энергоэффективные бытовые приборы
• Системы хранения энергии
• Промышленные системы автоматизации
• Ветрогенераторы и другие источники возобновляемой энергии