Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SUM70101EL-GE3

SUM70101EL-GE3

SUM70101EL-GE3
;
SUM70101EL-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SUM70101EL-GE3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SUM70101EL-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SUM70101EL-GE3

Представление: SUM70101EL-GE3 - это MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор) с каналом N-типа от компании Vishay Siliconix. Однако, в вашем запросе указано название MOSFET с каналом P-типа (P-CH). Возможно, есть небольшая ошибка в названии.

  • Напряжение Рабочего Поля: 100В
  • Рейтингный Ток: 120А
  • Форм-фактор: TO263

Основные Плюсы:

  • Высокая мощность и низкий ток утечки.
  • Высокая скорость переключения.
  • Доступность в различных корпусах.

Основные Минусы:

  • Высокие потери при работе в режиме провода.
  • Необходимость дополнительного проектирования для защиты от перегрева.

Общее Назначение:

  • Использование в высоковольтных и высокопроизводительных системах.
  • Подходящий для источников питания, преобразователей напряжения, инверторов.
  • Может применяться в системах управления двигателем.

Применение:

  • В трансформаторах питания.
  • В системах управления двигателей.
  • В преобразователях напряжения.
  • В источниках питания для электроники.
Выбрано: Показать

Характеристики SUM70101EL-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.1mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    190 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7000 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263 (D²Pak)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    SUM70101

Техническая документация

SUM70101EL-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SUM70101EL-GE3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SUM70101EL-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SUM70101EL-GE3

Представление: SUM70101EL-GE3 - это MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор) с каналом N-типа от компании Vishay Siliconix. Однако, в вашем запросе указано название MOSFET с каналом P-типа (P-CH). Возможно, есть небольшая ошибка в названии.

  • Напряжение Рабочего Поля: 100В
  • Рейтингный Ток: 120А
  • Форм-фактор: TO263

Основные Плюсы:

  • Высокая мощность и низкий ток утечки.
  • Высокая скорость переключения.
  • Доступность в различных корпусах.

Основные Минусы:

  • Высокие потери при работе в режиме провода.
  • Необходимость дополнительного проектирования для защиты от перегрева.

Общее Назначение:

  • Использование в высоковольтных и высокопроизводительных системах.
  • Подходящий для источников питания, преобразователей напряжения, инверторов.
  • Может применяться в системах управления двигателем.

Применение:

  • В трансформаторах питания.
  • В системах управления двигателей.
  • В преобразователях напряжения.
  • В источниках питания для электроники.
Выбрано: Показать

Характеристики SUM70101EL-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.1mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    190 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7000 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263 (D²Pak)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    SUM70101

Техническая документация

SUM70101EL-GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка