Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SUP60020E-GE3

SUP60020E-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SUP60020E-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 80V 150A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена SUP60020E-GE3 при покупке от 1 шт 752 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SUP60020E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SUP60020E-GE3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    150A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    227 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10680 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    SUP60020
Техническая документация
SUP60020E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 718 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    752 ₽
  • 50
    386 ₽
  • 100
    367 ₽
  • 500
    299 ₽
  • 1000
    278 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SUP60020E-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 80V 150A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена SUP60020E-GE3 при покупке от 1 шт 752 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SUP60020E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SUP60020E-GE3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    150A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    227 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10680 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    SUP60020
Техническая документация
SUP60020E-GE3.pdf
pdf. 0 kb