TC1412NEOA

TC1412NEOA Microchip Technology Микросхема: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

• Основные параметры:
• Тип: низкочастотный трансивер (GATE DRVR)
• Напряжение питания: 3,0 В до 5,5 В
• Индуцированный импульс иммунитет: 10 кВ/м
• Рабочая температура: -40°C до +125°C
• Количество выводов: 8 (SOIC)
• Плюсы:
• Высокий уровень защиты от импульсных воздействий
• Устойчивость к электрическим шумам
• Малый размер и компактность (SOIC-пакет)
• Надежное функционирование в широком диапазоне температур
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с простыми микросхемами
• Требует дополнительного проектирования для обеспечения правильной работы
• Общее назначение:
• Поддержка низкочастотных полевых транзисторов и MOSFET
• Управление нагрузками с высокими напряжениями
• Защита от повреждений при работе с индуктивными нагрузками
• Применение:
• Автомобильная электроника
• Портативные устройства
• Производственное оборудование
• Электроприводы