TC58NVG1S3HBAI6

Технические характеристики микросхемы TC58NVG1S3HBAI6 от Kioxia America, Inc.

• Тип: Flash-память
• Объем: 2Гбит (256МБ)
• Интерфейс: Парallel (параллельный интерфейс)
• Номинальное напряжение: 67В
• Форм-фактор: FBGA (Flip-Chip Ball Grid Array)

Основные плюсы:

• Высокая скорость: Благодаря параллельному интерфейсу, обеспечивается высокая скорость передачи данных.
• Стабильность: Устойчивость к внешним воздействиям благодаря использованию высокого напряжения.
• Минимальное энергопотребление: Эффективное управление энергопотреблением для длительной работы.

Основные минусы:

• Сложность разработки: Необходимо специальное оборудование для работы с высоким напряжением.
• Цена: Высокая стоимость из-за использования высоковольтного технологии.
• Ограниченная гибкость: Ограниченные возможности по настройке параметров под конкретные задачи.

Общее назначение:

• Хранение больших объемов данных.
• Поддержка быстрых операций чтения и записи.
• Использование в устройствах, требующих высокой производительности и надежности.

Применение:

• Мобильные устройства (телефоны, планшеты).
• Компьютеры и серверы.
• Автомобили (автонавигация, мультимедийные системы).
• Интеллектуальные системы контроля и управления.