TC6320K6-G транзистор, MOSFET N/P-CH, 200В, 7Ом

TC6320K6-G Microchip Technology MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение блокировки V_DS(on) = 200В
• Номинальное напряжение питания V_GS(th) = 8В
• Пакет: 8VDFN (8-пиновый поверхностно монтируемый)
• Плюсы:
• Высокая надежность благодаря низкому коэффициенту дрейфа
• Малый размер и толщина пакета для экономии места на плате
• Устойчивость к электрическим разрядам
• Низкий ток дrain-to-source в режиме отключения (≤10nA)
• Минусы:
• Высокое напряжение блокировки может увеличить стоимость по сравнению с более простыми устройствами
• Требует более сложного проектирования для обеспечения правильной работы при высоких напряжениях
• Общее назначение:
• Использование в системах управления мощностью
• Применение в источниках питания
• Работа в устройствах с высокими требованиями к надежности
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Промышленные системы автоматизации
• Бытовые приборы с высокими требованиями к надежности
• Системы хранения энергии