Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
TC6320K6-G
  • В избранное
  • В сравнение
TC6320K6-G

TC6320K6-G

TC6320K6-G
;
TC6320K6-G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    TC6320K6-G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 200V 8VDFNВсе характеристики

Минимальная цена TC6320K6-G при покупке от 1 шт 322.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TC6320K6-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TC6320K6-G

TC6320K6-G Microchip Technology MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки VDS(on) = 200В
    • Номинальное напряжение питания VGS(th) = 8В
    • Пакет: 8VDFN (8-пиновый поверхностно монтируемый)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря низкому коэффициенту дрейфа
    • Малый размер и толщина пакета для экономии места на плате
    • Устойчивость к электрическим разрядам
    • Низкий ток дrain-to-source в режиме отключения (≤10nA)
  • Минусы:
    • Высокое напряжение блокировки может увеличить стоимость по сравнению с более простыми устройствами
    • Требует более сложного проектирования для обеспечения правильной работы при высоких напряжениях
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления мощностью
    • Применение в источниках питания
    • Работа в устройствах с высокими требованиями к надежности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные системы автоматизации
    • Бытовые приборы с высокими требованиями к надежности
    • Системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики TC6320K6-G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 1mA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    110pF @ 25V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (4x4)
  • Base Product Number
    TC6320

Техническая документация

 TC6320K6-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 13573 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    322 ₽
  • 25
    268 ₽
  • 100
    245 ₽
  • 3300
    242 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    TC6320K6-G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 200V 8VDFNВсе характеристики

Минимальная цена TC6320K6-G при покупке от 1 шт 322.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TC6320K6-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TC6320K6-G

TC6320K6-G Microchip Technology MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки VDS(on) = 200В
    • Номинальное напряжение питания VGS(th) = 8В
    • Пакет: 8VDFN (8-пиновый поверхностно монтируемый)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря низкому коэффициенту дрейфа
    • Малый размер и толщина пакета для экономии места на плате
    • Устойчивость к электрическим разрядам
    • Низкий ток дrain-to-source в режиме отключения (≤10nA)
  • Минусы:
    • Высокое напряжение блокировки может увеличить стоимость по сравнению с более простыми устройствами
    • Требует более сложного проектирования для обеспечения правильной работы при высоких напряжениях
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления мощностью
    • Применение в источниках питания
    • Работа в устройствах с высокими требованиями к надежности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные системы автоматизации
    • Бытовые приборы с высокими требованиями к надежности
    • Системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики TC6320K6-G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 1mA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    110pF @ 25V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (4x4)
  • Base Product Number
    TC6320

Техническая документация

 TC6320K6-G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRF8915TRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
    99Кешбэк 14 баллов
    2N7002BKV,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
    76Кешбэк 11 баллов
    DMP1046UFDB-7Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
    93Кешбэк 13 баллов
    DMP2200UDW-7Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    AO4614BТранзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
    165Кешбэк 24 балла
    NTJD4105CT1GТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
    74Кешбэк 11 баллов
    SI4559ADY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    441Кешбэк 66 баллов
    ECH8690-TL-HТранзистор: MOSFET N/P-CH 60V ECH8
    247Кешбэк 37 баллов
    FDMS3602SТранзистор: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    253Кешбэк 37 баллов
    IPG20N10S436AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
    351Кешбэк 52 балла
    IPG20N06S2L65AATMA1Транзистор
    301Кешбэк 45 баллов
    FDZ1323NZТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
    294Кешбэк 44 балла
    TC6320K6-GТранзистор: MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN
    322Кешбэк 48 баллов
    DMN2050LFDB-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
    125Кешбэк 18 баллов
    SI3552DV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
    225Кешбэк 33 балла
    DMG6301UDW-13Транзистор
    67Кешбэк 10 баллов
    SSM6N7002CFU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
    28Кешбэк 4 балла
    DMP2160UFDBQ-7Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
    117Кешбэк 17 баллов
    IPG20N06S2L35AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON
    368Кешбэк 55 баллов
    SI4204DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
    383Кешбэк 57 баллов
    IPG20N04S408ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
    396Кешбэк 59 баллов
    SI1922EDH-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
    123Кешбэк 18 баллов
    DMN62D0UDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
    35Кешбэк 5 баллов
    SSM6P15FE(TE85L,F)Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
    33.5Кешбэк 5 баллов
    DMN2019UTS-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
    123Кешбэк 18 баллов
    FDC6327CТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
    238Кешбэк 35 баллов
    NX3008PBKS,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
    63Кешбэк 9 баллов
    DMN65D8LDWQ-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363
    63Кешбэк 9 баллов
    QS6J1TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
    186Кешбэк 27 баллов
    DMC25D1UVT-7Транзистор
    126Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП