TEMD5080X01

TEMD5080X01 Vishay Semiconductors PHOTODIODE 350 TO 1070 NM

• Диапазон рабочих длин волн: от 350 до 1070 нм
• Тип устройства: фотодиод
• Материал: GaAs (гальцийарсенид)
• Форм-фактор: прямоугольная плата с контактами на задней стороне
• Интенсивность тока: до 20 mA
• Время восстановления: менее 1 мкс
• Напряжение выхода: до 40 В
• Потребляемая мощность: до 800 мВт

• Плюсы:
• Высокая чувствительность в широком диапазоне длин волн
• Быстрое время восстановления
• Высокая надежность
• Компактный размер

• Минусы:
• Высокие требования к охлаждению при высоких значениях тока
• Цена может быть выше, чем у аналогичных устройств

Общее назначение: Используется в системах измерения света, оптических датчиках, лазерном сканировании, оптической связи и других приложениях, где требуется детекция инфракрасного и видового света.

• Применение:
• Оптические системы
• Измерительные приборы
• Автоматические системы управления
• Системы безопасности
• Оптическая связь