TFF1012HN/N1,115

TFF1012HN/N1,115 от NXP Semiconductors

• Основные параметры:
  • Тип: полупроводниковый транзистор MOSFET
  • Мощность: 115 В
  • Размер: 4.98 x 3.78 мм (DPAK)
  • Ток: 10 A
• Плюсы:
  • Высокая мощность
  • Малый размер для своей мощности
  • Долгий срок службы благодаря надежному корпусу DPAK
  • Высокая скорость переключения
• Минусы:
  • Высокие цены по сравнению с менее мощными моделями
  • Требует дополнительного охлаждения при работе на полной мощности
• Общее назначение:
  • Используется в различных приложениях, где требуется высокая мощность и надежность
  • Подходит для систем управления двигателем, преобразователей напряжения, инверторов
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Энергоэффективные решения
  • Системы управления электропитанием