Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
TW060N120C,S1F

TW060N120C,S1F

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена TW060N120C,S1F при покупке от 1 шт 4451 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TW060N120C,S1F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TW060N120C,S1F

  • Технология
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    36A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    78mOhm @ 18A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 4.2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1530 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    170W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Корпус
    TO-247-3
  • 9 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    4 451 ₽
  • 30
    3 272 ₽
  • 120
    2 935 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена TW060N120C,S1F при покупке от 1 шт 4451 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TW060N120C,S1F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TW060N120C,S1F

  • Технология
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    36A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    78mOhm @ 18A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 4.2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1530 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    170W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Корпус
    TO-247-3