Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
UJ3N120035K3S
  • В избранное
  • В сравнение
UJ3N120035K3S

UJ3N120035K3S транзистор JFET, N-канал, 1200В, 63А, 429Вт

UJ3N120035K3S
UJ3N120035K3S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3N120035K3S
  • Описание:
    1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ONВсе характеристики

Минимальная цена UJ3N120035K3S при покупке от 1 шт 5 228 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N120035K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3N120035K3S

Устройство UJ3N120035K3S от On Semiconductor:

  • Тип: N-ON SIC JFET (полупроводниковый транзистор с канальным эффектом)
  • Номинальное напряжение блокировки: 1200В
  • Максимальное значение тока: 35А
  • Сопротивление: 35 МОм
  • Технология: SiC (силикон кремниевый)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию SiC
  • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к тепловым воздействиям
  • Компактность и легкость

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
  • Требует специфического дизайна и производства

Общее назначение:

  • Используется в мощных электронных устройствах для управления током
  • Подходит для применения в высоковольтных системах
  • Используется в промышленных преобразователях питания, инверторах и других приборах

Применение:

  • Мощные источники питания
  • Преобразователи питания
  • Инверторы для электромобилей
  • Промышленное оборудование
  • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N120035K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1200 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    63 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2145pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    45 mOhms
  • Рассеивание мощности
    429 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N120035

Техническая документация

 UJ3N120035K3S.pdf
pdf. 0 kb
  • 3889 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    5 228 ₽
  • 30
    4 006 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП