UJ3N120035K3S транзистор JFET, N-канал, 1200В, 63А, 429Вт

Устройство UJ3N120035K3S от On Semiconductor:

• Тип: N-ON SIC JFET (полупроводниковый транзистор с канальным эффектом)
• Номинальное напряжение блокировки: 1200В
• Максимальное значение тока: 35А
• Сопротивление: 35 МОм
• Технология: SiC (силикон кремниевый)

Плюсы:

• Высокая надежность и долговечность благодаря использованию SiC
• Высокая скорость переключения
• Устойчивость к тепловым воздействиям
• Компактность и легкость

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
• Требует специфического дизайна и производства

Общее назначение:

• Используется в мощных электронных устройствах для управления током
• Подходит для применения в высоковольтных системах
• Используется в промышленных преобразователях питания, инверторах и других приборах

Применение:

• Мощные источники питания
• Преобразователи питания
• Инверторы для электромобилей
• Промышленное оборудование
• Энергосберегающие системы