UPA2351T1G(2)-E4-A

UPA2351T1G(2)-E4-A Renesas Electronics Corporation POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

• Основные параметры:
• Рейтинг напряжения (V_GS(th)): -2.0 V до -4.5 V
• Рейтинг тока (I_D(on)): 1.0 A
• Тип: полевая транзисторная трубка (MOSFET)
• Пакет: TO-263-7
• Плюсы:
• Высокий коэффициент срабатывания (-2.0 V до -4.5 V)
• Низкий ток дrain-source при отключенном транзисторе (управляемый "зазор")
• Устойчивость к переносу напряжений
• Компактный размер пакета (TO-263-7)
• Минусы:
• Требует отрицательного напряжения для работы
• Не подходит для высокочастотных приложений
• Возможны проблемы с термическим управлением без дополнительной теплоотводной системы
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения в электронных устройствах
• Переключение высоких токов
• Изоляция сигналов
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Промышленное оборудование
• Электропитание и преобразование энергии
• Инверторы и преобразователи