
Войдите в профиль
Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения
Москва


Минимальная цена UPD166034T1U-E1-AY при покупке от 1 шт 487.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UPD166034T1U-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Расшифровка:
UPD166034T1U-E1-AY — уникальный номер продукции.
Renesas Electronics Corporation — производитель.
POWER TRS2 IPD MP-3ZK — тип устройства.
HIGH SIDE — расположение MOSFET относительно нагрузки.
Основные параметры:
Тип устройства: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
Количество MOSFET: 2.
Монтаж: IPD (Integrated Power Device).
Мощность: 30 ВА.
Размеры: 8,7 x 8,7 мм.
Температурный диапазон: -40°C до +150°C.
Плюсы:
Высокая надежность и долгий срок службы.
Эффективное управление благодаря двум MOSFET.
Устойчивость к перегреву благодаря высокому температурному диапазону.
Малый размер и легкий монтаж.
Минусы:
Высокая стоимость по сравнению с простыми MOSFETами.
Требует дополнительного проектирования для управления двумя MOSFET.
Общее назначение:
Высокоскоростное управление электрическими цепями.
Применяется в системах управления двигателей.
Используется в системах питания и преобразования энергии.
Подходит для управления мощными нагрузками.
Применяется в:
Автомобильной промышленности.
Мобильных устройствах.
Инверторах и преобразователях энергии.
Двигателях электромобилей.
Промышленном оборудовании.
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
Минимальная цена UPD166034T1U-E1-AY при покупке от 1 шт 487.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UPD166034T1U-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Расшифровка:
UPD166034T1U-E1-AY — уникальный номер продукции.
Renesas Electronics Corporation — производитель.
POWER TRS2 IPD MP-3ZK — тип устройства.
HIGH SIDE — расположение MOSFET относительно нагрузки.
Основные параметры:
Тип устройства: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
Количество MOSFET: 2.
Монтаж: IPD (Integrated Power Device).
Мощность: 30 ВА.
Размеры: 8,7 x 8,7 мм.
Температурный диапазон: -40°C до +150°C.
Плюсы:
Высокая надежность и долгий срок службы.
Эффективное управление благодаря двум MOSFET.
Устойчивость к перегреву благодаря высокому температурному диапазону.
Малый размер и легкий монтаж.
Минусы:
Высокая стоимость по сравнению с простыми MOSFETами.
Требует дополнительного проектирования для управления двумя MOSFET.
Общее назначение:
Высокоскоростное управление электрическими цепями.
Применяется в системах управления двигателей.
Используется в системах питания и преобразования энергии.
Подходит для управления мощными нагрузками.
Применяется в:
Автомобильной промышленности.
Мобильных устройствах.
Инверторах и преобразователях энергии.
Двигателях электромобилей.
Промышленном оборудовании.
