Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
US1M R3G
  • В избранное
US1M R3G

US1M R3G диод, Standard, 1000В, 1А, 1.7В, 75нс

  • В избранное
US1M R3G
US1M R3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    US1M R3G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена US1M R3G при покупке от 1 шт 95 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить US1M R3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 2790 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    95 ₽
  • 100
    46 ₽
  • 1000
    28 ₽
  • 7200
    22.7 ₽
  • 21600
    20.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики US1M R3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    75 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    US1M

Техническая документация

 US1M R3G.pdf
pdf. 0 kb

Описание US1M R3G

US1M R3G Taiwan Semiconductor DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Тип: Общего назначения (GEN PURP)
    • Марка: Taiwan Semiconductor
    • Максимальное напряжение (URM): 1 кВ
    • Рейтингный ток: 1 А
    • Форм-фактор: DO214AC
  • Плюсы:
    • Высокий уровень надежности
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер
    • Легкость монтажа
  • Минусы:
    • Не предназначены для работы при постоянных высоких напряжениях
    • Могут быть чувствительны к избыточному теплу
  • Общее назначение:
    • Защита от скачков напряжения
    • Изоляция цепей
    • Переключение небольших токов
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные часы и другие цифровые устройства
    • Автомобильные системы
    • Питание бытовой техники
    • Системы управления электропитанием
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП