VEMD5010X01 фотодиод, PIN, 940нм, 20В, 100нс

VEMD5010X01 Vishay Semiconductor Opto Division PHOTODIODE 780 TO 1050 NM

• Диапазон рабочей длины волны: от 780 до 1050 нм
• Форм-фактор: TO-101 (TO-101)
• Тип: фотодиод
• Материал: Ингаас (InGaAs)
• Напряжение платы: до 24 В
• Скорость ответа: до 1 ГГц
• Чувствительность: до 30 мВ/Вт при 950 нм

Плюсы:

• Высокая чувствительность в длинноволновом диапазоне
• Широкий диапазон рабочих температур (-40°C до +85°C)
• Высокая скорость ответа
• Стабильность характеристик

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами фотодиодов
• Требует дополнительной обработки для улучшения характеристик
• Уязвим к механическим повреждениям

Общее назначение:

• Измерение интенсивности инфракрасного излучения
• Радары и системы оптического спутникового телевидения
• Биомедицинские приборы
• Инфракрасные системы безопасности
• Оптические измерительные приборы

Применяется в:

• Автомобильных системах ночного видения
• Беспроводных системах связи
• Медицинских диагностических аппаратах
• Оптических коммуникационных сетях
• Космической технике