VS-GB70NA60UF

Основные параметры: Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) 600 В, ток коллектора (Ic) 111 А, рассеиваемая мощность (Pd) 447 Вт, корпус SOT227.

Плюсы: Высокий ток и напряжение, высокая мощность, подходит для жестких условий эксплуатации, относительно простое управление.

Минусы: Может быть подвержен влиянию паразитных индуктивностей, требует радиатора для отвода тепла при больших токах, сравнительно медленное переключение по сравнению с MOSFET.

Общее назначение: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – это полупроводниковый прибор, сочетающий в себе преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Используется как ключ или усилитель мощности.

Применяется в: Импульсных источниках питания, инверторах, сварочных аппаратах, электроприводах, системах бесперебойного питания (UPS), электромобилях, системах управления двигателями, промышленном оборудовании.