Вход/Регистрация
MMBZ6V2ALYFHT1163V, SOT-23, DUAL LINE, ANODE COM
VS4V8BU1ART7R
VS4V8BU1ART7R
- Производитель:Rohm Semiconductor
- Артикул:VS4V8BU1ART7R
- Описание:TVS DIODE 4.8VWM 11VC SMD2012Все характеристики
Минимальная цена VS4V8BU1ART7R при покупке от 1 шт 114.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS4V8BU1ART7R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 14982 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1114 ₽
- 10052 ₽
- 100034 ₽
- 1400027.5 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Rohm Semiconductor
- Артикул:VS4V8BU1ART7R
- Описание:TVS DIODE 4.8VWM 11VC SMD2012Все характеристики
Минимальная цена VS4V8BU1ART7R при покупке от 1 шт 114.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS4V8BU1ART7R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание VS4V8BU1ART7R
VS4V8BU1ART7R — это диод телевесового изолирования (TVS-диод) производства Rohm Semiconductor. Основные параметры:
- Рабочее напряжение: 4.8 В
- Номинальное сопротивление: 11 В
- Форм-фактор: SMD2012
Плюсы:
- Высокая скорость отклика: до 500 В/мкс.
- Малый размер: подходит для компактных устройств благодаря форм-фактору SMD2012.
- Высокая надежность: способен выдерживать повторяющиеся импульсы.
Минусы:
- Ограниченная способность: не рекомендуется использовать при напряжениях выше 4.8 В.
- Конденсация: может возникать на поверхности диода при длительном контакте с влажностью.
Общее назначение: Защита электронных компонентов от разрушительных импульсов, таких как молнии или другие быстрые скачки напряжения.
Применение:
- Защита микросхем и других электронных компонентов в различных устройствах.
- Защита от электромагнитных импульсов (EMP).
- Защита от быстрого скачка напряжения в линиях питания.
Выбрано: Показать
Характеристики VS4V8BU1ART7R
Техническая документация
VS4V8BU1ART7R.pdf pdf. 0 kb