Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
VT6M1T2CR
  • В избранное
VT6M1T2CR

VT6M1T2CR транзистор, MOSFET N/P-CH, 20В, 0.1А, 120мВт

  • В избранное
VT6M1T2CR
VT6M1T2CR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    VT6M1T2CR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6Все характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 11.7 ₽/шт, купить VT6M1T2CR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 404 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена с НДС
  • 1
    89 ₽
  • 100
    38.6 ₽
  • 1000
    19.5 ₽
  • 5000
    16 ₽
  • 24000
    11.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка

Характеристики

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 1.2V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 100µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7.1pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    120mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-SMD, Flat Leads
  • Исполнение корпуса
    VMT6
  • Base Product Number
    VT6M1

Техническая документация

 Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

VT6M1T2CR ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (N/P-канальный)
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Тип: VMT6
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий ток дrain-to-source при отключенном транзисторе
    • Устойчивость к импульсным нагрузкам
  • Минусы:
    • Низкий номинальный ток (0.1А)
    • Не подходит для высоковольтных или высокотоковых приложений
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Переключение низковольтных сигналов
    • Управление низкотоковыми нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Пульты дистанционного управления
    • Электронные часы и другие низкосиловые устройства
    • Игрушки с электронными функциями
    • Маломощные усилители

Альтернативные маркировки

  • VT6M1T2CRCT-ND
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП