Разрешенная маркировка:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Модель: TVS DIODE 12.4VWM 20.1VC DO219AB
Основные параметры:
- Максимальное напряжение разрушения (VBR): 12.4 В
- Максимальное номинальное отпускное напряжение (VO): 20.1 В
- Максимальная мощность при коротком замыкании (PCL): 12.4 Вмк
- Форма корпуса: DO219AB
Плюсы:
- Высокая защита: способен выдерживать внезапные скачки напряжения до 20.1 В.
- Короткий срок отклика: быстрое срабатывание при скачках напряжения.
- Устойчивость к тепловому стрессу: способен выдерживать высокие температурные условия.
Минусы:
- Ограниченная мощность: максимальная мощность при коротком замыкании составляет 12.4 Вмк.
- Объем: корпус DO219AB относительно большой по сравнению с другими типами.
Общее назначение:
- Защита электронных компонентов и устройств от всплесков напряжения.
- Защита от ударных напряжений и электромагнитных импульсов (ЭМИ).
- Защита от перегрузок и скачков напряжения в электрических цепях.
В каких устройствах применяется:
- Системы управления двигателем.
- Автомобильные системы.
- Телекоммуникационное оборудование.
- Промышленное оборудование.
- Медицинское оборудование.