Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Диодные мосты - Модули
VUO110-12NO7
VUO110-12NO7

VUO110-12NO7

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    VUO110-12NO7
  • Описание:
    BRIDGE RECT 3P 1.2KV 127A PWS-E1Все характеристики

Минимальная цена VUO110-12NO7 при покупке от 1 шт 10698.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VUO110-12NO7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики VUO110-12NO7

  • Тип диода
    Three Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1.2 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    127 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.13 V @ 50 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 1200 V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    PWS-E
  • Исполнение корпуса
    PWS-E
  • Base Product Number
    VUO110
Техническая документация
 VUO110-12NO7.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 158 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    10 698 ₽
  • 10
    9 780 ₽
  • 100
    7 861 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    VUO110-12NO7
  • Описание:
    BRIDGE RECT 3P 1.2KV 127A PWS-E1Все характеристики

Минимальная цена VUO110-12NO7 при покупке от 1 шт 10698.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VUO110-12NO7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики VUO110-12NO7

  • Тип диода
    Three Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1.2 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    127 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.13 V @ 50 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 1200 V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    PWS-E
  • Исполнение корпуса
    PWS-E
  • Base Product Number
    VUO110
Техническая документация
 VUO110-12NO7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VUI72-16NOXTДиод: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 75A V1A-PAK
    9 057Кешбэк 1 358 баллов
    VUO190-18NO7BRIDGE RECT 3P 1.8KV 248A PWS-E1
    16 356Кешбэк 2 453 балла
    VUO122-16NO7BRIDGE RECT 3P 1.6KV ECO-PAC2
    6 573Кешбэк 985 баллов
    M50100TB800BRIDGE RECT 3P 800V 100A MODULE
    26 532Кешбэк 3 979 баллов
    VS-90MT120KPBFBRIDGE RECT 3P 1.2KV 90A MT-K
    14 590Кешбэк 2 188 баллов
    VUO160-08NO7BRIDGE RECT 3P 800V 175A PWS-E1
    11 101Кешбэк 1 665 баллов
    B483F-2BRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 35A
    10 964Кешбэк 1 644 балла
    M50100SB1600BRIDGE RECT 1P 1.6KV 100A MODULE
    21 416Кешбэк 3 212 баллов
    M5060SB1200BRIDGE RECT 1P 1.2KV 60A MODULE
    11 434Кешбэк 1 715 баллов
    GHXS030A120S-D3DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
    5 056Кешбэк 758 баллов
    VUO162-16NO7BRIDGE RECT 3P 1.6KV PWS-E-FLAT
    13 193Кешбэк 1 978 баллов
    VUO190-08NO7BRIDGE RECT 3P 800V 248A PWS-E1
    14 062Кешбэк 2 109 баллов
    VBO130-12NO7BRIDGE RECT 1P 1.2KV 122A PWS-E
    13 634Кешбэк 2 045 баллов
    VUO25-16NO8BRIDGE RECT 3P 1.6KV 25A PWS-E1
    2 921Кешбэк 438 баллов
    M5060SB1000BRIDGE RECT 1P 1KV 60A MODULE
    14 137Кешбэк 2 120 баллов
    APT75DL120HJBRIDGE RECT 1P 1.2KV 75A SOT227
    5 234Кешбэк 785 баллов
    M5060SB600BRIDGE RECT 1P 600V 60A MODULE
    9 620Кешбэк 1 443 балла
    DMA150YC1600NABRIDGE RECT 1P 1.6KV SOT227B
    6 318Кешбэк 947 баллов
    VUO86-16NO7BRIDGE RECT 3P 1.6KV 86A ECOPAC1
    3 787Кешбэк 568 баллов
    M5060TB600BRIDGE RECT 3P 600V 60A MODULE
    12 070Кешбэк 1 810 баллов
    VS-160MT160KPBFДиод: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 160A MT-K
    15 170Кешбэк 2 275 баллов
    APT100DL60HJBRIDGE RECT 1P 600V 100A SOT227
    4 450Кешбэк 667 баллов
    VUB72-16NOXTBRIDGE RECT 3P 1.6KV 75A V1A-PAK
    9 922Кешбэк 1 488 баллов
    APT60DF60HJДиод: BRIDGE RECT 1P 600V 90A SOT227
    3 413Кешбэк 511 баллов
    M50100TB1600BRIDGE RECT 3P 1.6KV 100A MODULE
    27 191Кешбэк 4 078 баллов
    VUO36-12NO8BRIDGE RECT 3P 1.2KV 27A FO-B
    2 981Кешбэк 447 баллов
    B483C-2TBRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A
    9 573Кешбэк 1 435 баллов
    M50100TB1200BRIDGE RECT 3P 1.2KV 100A MODULE
    22 475Кешбэк 3 371 балл
    B485F-2TBRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 50A
    13 876Кешбэк 2 081 балл
    VUO68-16NO7BRIDGE RECT 3P 1.6KV 68A ECOPAC1
    3 810Кешбэк 571 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП