W631GG6NB-15 TR модуль памяти, Volatile, DDR3 SDRAM, 1Гбит, 1.425В ~ 1.575В

Микросхема W631GG6NB-15 TR от Winbond Electronics:

• Тип: DRAM (Память с разрядным буфером)
• Объем памяти: 1 ГБит
• Интерфейс: Парallel (Параллельный)
• Напряжение питания: 96В FBSBGA (Фантомно-заземленная Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Частота работы до 200 МГц
• Шина данных: 16 бит
• Поддержка ECC (Error-Correcting Code) для улучшения надежности

Плюсы:

• Высокая плотность хранения информации
• Надежность благодаря поддержке ECC
• Подходит для высокопроизводительных систем

Минусы:

• Высокое энергопотребление по сравнению с современными низкопотреблением модулями
• Необходимо использование более мощного источника питания

Общее назначение:

• Использование в серверах и системах высокой производительности
• Поддержка в многозадачных системах
• Применяется в системах с высокими требованиями к скорости обработки данных

В каких устройствах применяется:

• Серверы
• Профессиональные рабочие станции
• Вычислительные системы
• Базы данных