Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
WAB300M12BM3

WAB300M12BM3

Loading...
;
Loading...

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена WAB300M12BM3 при покупке от 1 шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WAB300M12BM3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики WAB300M12BM3

  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    382A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.2mOhm @ 300A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.6V @ 92mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    908nC @ 15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24500pF @ 1000V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    WAB300
Техническая документация
6035930.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы