Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
WAB400M12BM3

WAB400M12BM3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed, Inc.
  • Артикул:
    WAB400M12BM3
  • Описание:
    Транзистор: 1200 V, 400 A HALF-BRIDGE MODULEВсе характеристики

Минимальная цена WAB400M12BM3 при покупке от 1 шт 199544 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WAB400M12BM3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики WAB400M12BM3

  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    468A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.25mOhm @ 400A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.6V @ 106mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1040nC @ 15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    29700pF @ 800V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    WAB400
Техническая документация
8136945.pdf
pdf. 0 kb
  • 21 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    199 544 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • Производитель:
    Wolfspeed, Inc.
  • Артикул:
    WAB400M12BM3
  • Описание:
    Транзистор: 1200 V, 400 A HALF-BRIDGE MODULEВсе характеристики

Минимальная цена WAB400M12BM3 при покупке от 1 шт 199544 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WAB400M12BM3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики WAB400M12BM3

  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    468A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.25mOhm @ 400A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.6V @ 106mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1040nC @ 15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    29700pF @ 800V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    WAB400
Техническая документация
8136945.pdf
pdf. 0 kb