Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
WNSC06650T6J
  • В избранное
  • В сравнение
WNSC06650T6J

WNSC06650T6J

WNSC06650T6J
;
WNSC06650T6J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    WEEN SEMICONDUCTORS
  • Артикул:
    WNSC06650T6J
  • Описание:
    Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена WNSC06650T6J при покупке от 1 шт 477.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WNSC06650T6J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание WNSC06650T6J

WNSC06650T6J WEEN SEMICONDUCTORS Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODE

  • Основные параметры:
    • Максимальный обратный напряжение: 650 В
    • Размер тока: 60 А
    • Температурный коэффициент: -2 мВ/°C
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к тепловому стрессу
    • Меньшая утечка тока при обратном напряжении
    • Компактность и легкость
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Необходимость специализированного оборудования для монтажа
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Конвертация и преобразование энергии
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики WNSC06650T6J

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    6A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 6 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    40 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    190pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    4-VSFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (8x8)
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C (Max)
  • Base Product Number
    WNSC0

Техническая документация

 WNSC06650T6J.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    477 ₽
  • 10
    377 ₽
  • 100
    296 ₽
  • 500
    248 ₽
  • 1000
    220 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    WEEN SEMICONDUCTORS
  • Артикул:
    WNSC06650T6J
  • Описание:
    Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена WNSC06650T6J при покупке от 1 шт 477.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WNSC06650T6J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание WNSC06650T6J

WNSC06650T6J WEEN SEMICONDUCTORS Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODE

  • Основные параметры:
    • Максимальный обратный напряжение: 650 В
    • Размер тока: 60 А
    • Температурный коэффициент: -2 мВ/°C
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к тепловому стрессу
    • Меньшая утечка тока при обратном напряжении
    • Компактность и легкость
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Необходимость специализированного оборудования для монтажа
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Конвертация и преобразование энергии
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики WNSC06650T6J

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    6A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 6 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    40 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    190pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    4-VSFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (8x8)
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C (Max)
  • Base Product Number
    WNSC0

Техническая документация

 WNSC06650T6J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FE2GДиод: DIODE SFR DO-15 400V 2A
    60Кешбэк 9 баллов
    FR3BДиод: DIODE FR SMC 100V 3A
    118Кешбэк 17 баллов
    FRL1KДиод: DIODE FR SOD-123FL 800V 1A
    6.5Кешбэк 1 балл
    SK3H15SMBДиод: SCHOTTKY SMB 150V 3A
    69Кешбэк 10 баллов
    SD103BWДиод: SchottkyD, 30V, 0.35A
    31Кешбэк 4 балла
    SDB13HSДиод: SCHOTTKY SOD-323 P 30V 1A
    30.7Кешбэк 4 балла
    BAV23IДиод: DIODE SOT-23 250V 0.22A 50NS
    9.6Кешбэк 1 балл
    BY1800Диод: DIODE STD DO-201 1800V 3A
    86Кешбэк 12 баллов
    BY252Диод: DIODE STD DO-201 400V 3A
    23Кешбэк 3 балла
    RGP30MДиод: R-1000V 3A FAST SW
    67Кешбэк 10 баллов
    SA263Диод: DIODE FR MELF 1600V 2A
    77Кешбэк 11 баллов
    SK1845D2-3GДиод: SCHOTTKY D2PAK 45V 18A
    153Кешбэк 22 балла
    ER3BДиод: DIODE SFR SMC 100V 3A
    36Кешбэк 5 баллов
    SUF4005Диод: DIODE UFR MELF 600V 1A
    56Кешбэк 8 баллов
    BAT46WДиод: SCHOTTKY SOD-123 100V 0.15A
    22.5Кешбэк 3 балла
    FR3AДиод: DIODE FR SMC 50V 3A
    29Кешбэк 4 балла
    1N5408KRДиод: DIODE STD DO-201 1000V 3A
    61Кешбэк 9 баллов
    SK33SMBДиод: SCHOTTKY SMB 30V 3A
    33Кешбэк 4 балла
    ES3FДиод: DIODE SFR SMC 300V 3A
    151Кешбэк 22 балла
    SRL1JДиод: DIODE STD SOD-323 P 600V 1A
    13Кешбэк 1 балл
    USL1KДиод: DIODE UFR SOD-123FL 800V 1A
    20.7Кешбэк 3 балла
    P1000BДиод: DIODE STD D8X7.5 100V 10A
    159Кешбэк 23 балла
    P600SДиод: DIODE STD D8X7.5 1200V 6A
    129Кешбэк 19 баллов
    ER3GДиод: SMT SUPER FAST RECTIFIER
    78Кешбэк 11 баллов
    ERL1JДиод: DIODE SFR SOD-123FL 600V 1A
    15.3Кешбэк 2 балла
    SK34-AQДиод: Schottky, 40V, 3A, 0.50V, 100A
    74Кешбэк 11 баллов
    US3AДиод: DIODE UFR SMC 50V 3A
    77Кешбэк 11 баллов
    SD101CWSchottkyD, 40V, 0.015A
    30Кешбэк 4 балла
    RGL1DДиод: DIODE FR DO-213AA 200V 1A
    52Кешбэк 7 баллов
    SA265Диод: DIODE FR MELF 2000V 2A
    96Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП