Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
WNSC08650T6J
  • В избранное
  • В сравнение
WNSC08650T6J

WNSC08650T6J

WNSC08650T6J
;
WNSC08650T6J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    WEEN SEMICONDUCTORS
  • Артикул:
    WNSC08650T6J
  • Описание:
    Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена WNSC08650T6J при покупке от 1 шт 806.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WNSC08650T6J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание WNSC08650T6J

WNSC08650T6J WEEN SEMICONDUCTORS Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODE

  • Основные параметры:
    • Максимальный ток прямого тока (ID): 86 А
    • Максимальное напряжение (VDRM): 600 В
    • Тип: Питательный диод из кремния карбидового
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Высокая термостойкость
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требует специальных условий для монтажа и использования
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Распределение нагрузки в параллельных цепях
    • Уменьшение потерь энергии в системах высокой мощности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления энергией
    • Электроприводы
    • Солнечные батареи
    • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики WNSC08650T6J

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    267pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    4-VSFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (8x8)
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C (Max)
  • Base Product Number
    WNSC0

Техническая документация

 WNSC08650T6J.pdf
pdf. 0 kb
  • 2940 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    806 ₽
  • 10
    530 ₽
  • 100
    396 ₽
  • 500
    323 ₽
  • 1000
    279 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    WEEN SEMICONDUCTORS
  • Артикул:
    WNSC08650T6J
  • Описание:
    Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена WNSC08650T6J при покупке от 1 шт 806.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WNSC08650T6J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание WNSC08650T6J

WNSC08650T6J WEEN SEMICONDUCTORS Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODE

  • Основные параметры:
    • Максимальный ток прямого тока (ID): 86 А
    • Максимальное напряжение (VDRM): 600 В
    • Тип: Питательный диод из кремния карбидового
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Высокая термостойкость
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требует специальных условий для монтажа и использования
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Распределение нагрузки в параллельных цепях
    • Уменьшение потерь энергии в системах высокой мощности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления энергией
    • Электроприводы
    • Солнечные батареи
    • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики WNSC08650T6J

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    267pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    4-VSFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (8x8)
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C (Max)
  • Base Product Number
    WNSC0

Техническая документация

 WNSC08650T6J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SS115-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A DO214AC S
    70Кешбэк 10 баллов
    RGP30KДиод: DIODE FR DO-201 800V 3A
    76Кешбэк 11 баллов
    1N1185ADO5 35 AMP SILICON RECTFIER
    2 757Кешбэк 413 баллов
    C6D08065EДиод: GEN 6 650V 8 A SBD
    847Кешбэк 127 баллов
    S4D04120EDIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
    259Кешбэк 38 баллов
    1SS355VMFHTE-17HIGH SPEED SWITCHING DIODE, HIGH
    53Кешбэк 7 баллов
    SCS220AEGC11650V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-CA
    1 834Кешбэк 275 баллов
    SR34_R1_00001SMB, SKY
    59Кешбэк 8 баллов
    1N4936GP-TPДиод: DIODE GPP FAST 1A DO-41
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BAS3005B02VH6327XTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2
    37.6Кешбэк 5 баллов
    BY397Диод: DIODE FR DO-201 200V 3A
    64Кешбэк 9 баллов
    BAS16-HFDIODE SWITCHING SINGLE 100V 150M
    31.5Кешбэк 4 балла
    BAV19WDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    18.5Кешбэк 2 балла
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    119Кешбэк 17 баллов
    MUR160SDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    83Кешбэк 12 баллов
    BYG10YHE3_A/H1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-3EYH01HM3/HFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    87Кешбэк 13 баллов
    STTH30RQ06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    521Кешбэк 78 баллов
    V15P8HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A
    237Кешбэк 35 баллов
    SB590Диод: SCHOTTKY DO-201 90V 5A
    91Кешбэк 13 баллов
    SGL34-50Диод: SCHOTTKY DO-213AA 50V 0.5A
    18Кешбэк 2 балла
    CDBMS1150-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD-123F
    70Кешбэк 10 баллов
    SUF4007Диод: DIODE UFR MELF 1000V 1A
    59Кешбэк 8 баллов
    CMH07(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
    148Кешбэк 22 балла
    SBT1040-3GSchottky, 40V, 10A, 0.50V, 135A
    233Кешбэк 34 балла
    RURP1540RECTIFIER, AVALANCHE, 15A, 400V
    306Кешбэк 45 баллов
    RB168L-40TFTE25Диод: SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    96Кешбэк 14 баллов
    SFAS805GDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS805GHDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS806GHDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП