Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
WNSC10650T6J
  • В избранное
  • В сравнение
WNSC10650T6J

WNSC10650T6J

WNSC10650T6J
;
WNSC10650T6J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    WEEN SEMICONDUCTORS
  • Артикул:
    WNSC10650T6J
  • Описание:
    Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена WNSC10650T6J при покупке от 1 шт 877.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WNSC10650T6J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание WNSC10650T6J

Диод WNSC10650T6J WEEN SEMICONDUCTORS

  • SILICON CARBIDE POWER DIODE (СИЛИКУМ ОКСИДНАЯ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ДИОД)

Основные параметры:

  • Максимальное напряжение: 650 В
  • Максимальный ток: 10 А
  • Максимальная мощность: 650 В·А
  • Частота работы: до 120 кГц
  • Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая частота работы
  • Высокое сопротивление напряжению
  • Низкое энергетическое сопротивление
  • Высокая термостойкость
  • Малый размер и вес

Минусы:

  • Высокая стоимость
  • Требуют специального проектирования

Общее назначение:

  • Защита от обратного тока
  • Контроль напряжения
  • Переключение высоковольтных цепей
  • Эффективное управление мощностью в системах с высокой частотой

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании
  • Энергоэффективных системах
  • Системах управления энергией
  • Инверторах и преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики WNSC10650T6J

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 10 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    60 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    328pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    4-VSFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (8x8)
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C (Max)
  • Base Product Number
    WNSC1

Техническая документация

 WNSC10650T6J.pdf
pdf. 0 kb
  • 2320 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    877 ₽
  • 10
    584 ₽
  • 100
    450 ₽
  • 500
    380 ₽
  • 1000
    325 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    WEEN SEMICONDUCTORS
  • Артикул:
    WNSC10650T6J
  • Описание:
    Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена WNSC10650T6J при покупке от 1 шт 877.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WNSC10650T6J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание WNSC10650T6J

Диод WNSC10650T6J WEEN SEMICONDUCTORS

  • SILICON CARBIDE POWER DIODE (СИЛИКУМ ОКСИДНАЯ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ДИОД)

Основные параметры:

  • Максимальное напряжение: 650 В
  • Максимальный ток: 10 А
  • Максимальная мощность: 650 В·А
  • Частота работы: до 120 кГц
  • Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая частота работы
  • Высокое сопротивление напряжению
  • Низкое энергетическое сопротивление
  • Высокая термостойкость
  • Малый размер и вес

Минусы:

  • Высокая стоимость
  • Требуют специального проектирования

Общее назначение:

  • Защита от обратного тока
  • Контроль напряжения
  • Переключение высоковольтных цепей
  • Эффективное управление мощностью в системах с высокой частотой

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании
  • Энергоэффективных системах
  • Системах управления энергией
  • Инверторах и преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики WNSC10650T6J

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 10 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    60 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    328pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    4-VSFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (8x8)
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C (Max)
  • Base Product Number
    WNSC1

Техническая документация

 WNSC10650T6J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CMMR1-06 TR PBFREEDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
    69Кешбэк 10 баллов
    CMDD6263 TR PBFREEDIODE SCHOTTKY 70V 15MA SOD323
    217Кешбэк 32 балла
    GS1Z-LTPDIODE GEN PURP 2KV 1A DO214AC
    46Кешбэк 6 баллов
    RB521S-30L2-TPDIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2TDFN
    35Кешбэк 5 баллов
    S10ML-TPDIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
    156Кешбэк 23 балла
    SS24HE3-LTPДиод: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 40V
    74Кешбэк 11 баллов
    SK3200AFL-TP3ASCHOTTKY BARRIERSMAF/DO-221AC
    67Кешбэк 10 баллов
    SL54AFL-TP5ASCHOTTKYRECTIFIERDO-221AC
    102Кешбэк 15 баллов
    R4000GPS-TP200MASTANDARD RECOVER RECTIFIERD
    137Кешбэк 20 баллов
    FR157GP-TPDIODE GPP FAST 1.5A DO-15
    65Кешбэк 9 баллов
    SK520B-LTPDIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AA
    87Кешбэк 13 баллов
    ES1G-LTPDIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
    43Кешбэк 6 баллов
    GS1Y-LTPDIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO214AC
    69Кешбэк 10 баллов
    BAS19HE3-TPDIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
    33.3Кешбэк 4 балла
    MURSB1560-TP15A/600V FRED RECTIFIERS,DPAK PA
    319Кешбэк 47 баллов
    B5817WSHE3-TPSCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20V
    67Кешбэк 10 баллов
    B5818LWS-TPDIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323
    39Кешбэк 5 баллов
    US1Q-TP1AULTRAFASTRECOVERRECTIFIERSMA
    107Кешбэк 16 баллов
    BAT750-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 750MA SOT23
    61Кешбэк 9 баллов
    EM513GP-TPDIODE GP 1A DO-41
    82Кешбэк 12 баллов
    RB520S-30L2-TPDIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2TDFN
    39Кешбэк 5 баллов
    UFM17PL-TPDIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FL
    85Кешбэк 12 баллов
    B0530WSHE3-TPDIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD323
    56Кешбэк 8 баллов
    SS12-LTPDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AC
    56Кешбэк 8 баллов
    B5817W-TPDIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123
    61Кешбэк 9 баллов
    1N4937GP-TPDIODE GPP FAST 1A DO-41
    50Кешбэк 7 баллов
    SL36A-TP3ASCHOTTKYRECTIFIERSSMA
    96Кешбэк 14 баллов
    SL16PL-TPDIODE SCHOTTKY 1A 60V SOD-123FL
    48Кешбэк 7 баллов
    MURS1560FA-BP15A/600V FRED RECTIFIERS,ITO-220
    254Кешбэк 38 баллов
    FR1M-LTP1A,1000V,FAST RECOVERY RECTIFIER
    48Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП