WNSC10650T6J

Диод WNSC10650T6J WEEN SEMICONDUCTORS

• SILICON CARBIDE POWER DIODE (СИЛИКУМ ОКСИДНАЯ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ДИОД)

Основные параметры:

• Максимальное напряжение: 650 В
• Максимальный ток: 10 А
• Максимальная мощность: 650 В·А
• Частота работы: до 120 кГц
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Плюсы:

• Высокая частота работы
• Высокое сопротивление напряжению
• Низкое энергетическое сопротивление
• Высокая термостойкость
• Малый размер и вес

Минусы:

• Высокая стоимость
• Требуют специального проектирования

Общее назначение:

• Защита от обратного тока
• Контроль напряжения
• Переключение высоковольтных цепей
• Эффективное управление мощностью в системах с высокой частотой

Применяется в:

• Автомобильной электронике
• Промышленном оборудовании
• Энергоэффективных системах
• Системах управления энергией
• Инверторах и преобразователях